SSM6J507NU,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J507NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: TOSHIBA - SSM6J507NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 38.73 грн |
| 29+ | 29.47 грн |
| 100+ | 20.45 грн |
| 500+ | 15.50 грн |
| 1000+ | 11.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6J507NU,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J507NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSIV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SSM6J507NU,LF(T за ціною від 24.83 грн до 89.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6J507NU,LF(T | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 11554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SSM6J507NU,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |