Продукція > TOSHIBA > SSM6J507NU,LF(T
SSM6J507NU,LF(T

SSM6J507NU,LF(T Toshiba

datasheet_en_20241003.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 11379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+57.49 грн
17+44.41 грн
25+39.59 грн
100+34.30 грн
500+29.84 грн
1000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J507NU,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM6J507NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSIV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.

Інші пропозиції SSM6J507NU,LF(T за ціною від 26.35 грн до 57.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6J507NU,LF(T SSM6J507NU,LF(T Toshiba datasheet_en_20241003.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 11379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+57.49 грн
317+44.41 грн
355+39.59 грн
395+34.30 грн
500+29.84 грн
1000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF(T SSM6J507NU,LF(T TOSHIBA 4008615.pdf Description: TOSHIBA - SSM6J507NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF(T SSM6J507NU,LF(T TOSHIBA 4008615.pdf Description: TOSHIBA - SSM6J507NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF(T datasheet_en_20241003.pdf
SSM6J507NU,LF(T
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 11379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
245+57.49 грн
317+44.41 грн
355+39.59 грн
395+34.30 грн
500+29.84 грн
1000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF(T 4008615.pdf
SSM6J507NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J507NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF(T 4008615.pdf
SSM6J507NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J507NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.