Продукція > TOSHIBA > SSM6J507NU,LF(T
SSM6J507NU,LF(T

SSM6J507NU,LF(T TOSHIBA

4008615.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J507NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.22 грн
500+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J507NU,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6J507NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSIV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM6J507NU,LF(T за ціною від 15.51 грн до 89.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6J507NU,LF(T SSM6J507NU,LF(T Виробник : TOSHIBA 4008615.pdf Description: TOSHIBA - SSM6J507NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.74 грн
50+30.09 грн
100+21.22 грн
500+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF(T SSM6J507NU,LF(T Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 11554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
137+89.36 грн
280+43.52 грн
288+42.40 грн
289+40.69 грн
500+30.70 грн
1000+27.47 грн
3000+25.82 грн
6000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF(T SSM6J507NU,LF(T Виробник : Toshiba 47037524870889004703751692370259ssm6j507nu_datasheet_en_20151110.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.