Продукція > TOSHIBA > SSM6J507NU,LF
SSM6J507NU,LF

SSM6J507NU,LF Toshiba

docget.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+44.35 грн
21+36.42 грн
25+36.05 грн
100+22.06 грн
250+17.27 грн
500+15.35 грн
1000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J507NU,LF Toshiba

Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): +20V, -25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SSM6J507NU,LF за ціною від 15.18 грн до 312.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.42 грн
10+32.91 грн
100+21.22 грн
500+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Toshiba docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU MOSFET P-CH 30V 10A UDFNB-6 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Toshiba 7A650460BAA521A3BB6A9124B5B8219C140B5694B2A8C949B314F57DD8F5D621.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET V=30V, I-10A
на замовлення 9664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU
SSM6J507NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.42 грн
10+32.91 грн
100+21.22 грн
500+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU
SSM6J507NU,LF
Виробник: Toshiba
MOSFET P-CH 30V 10A UDFNB-6 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF 7A650460BAA521A3BB6A9124B5B8219C140B5694B2A8C949B314F57DD8F5D621.pdf
SSM6J507NU,LF
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small Signal MOSFET V=30V, I-10A
на замовлення 9664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF docget.pdf
SSM6J507NU,LF
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.