| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.81 грн |
| 13+ | 26.04 грн |
| 100+ | 15.75 грн |
| 500+ | 12.10 грн |
| 1000+ | 11.04 грн |
| 3000+ | 9.70 грн |
| 6000+ | 8.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6J507NU,LF Toshiba
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): +20V, -25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SSM6J507NU,LF за ціною від 12.71 грн до 312.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6J507NU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNBPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): +20V, -25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V |
на замовлення 1453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SSM6J507NU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET P-CH 30V 10A UDFNB-6 Транзистори |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|