SSM6J507NU,LF

SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.25 грн
6000+9.92 грн
9000+9.19 грн
15000+8.38 грн
21000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): +20V, -25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SSM6J507NU,LF за ціною від 9.53 грн до 41.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 49192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.08 грн
13+26.06 грн
100+18.37 грн
500+13.59 грн
1000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Виробник : Toshiba SSM6J507NU_datasheet_en_20241003-1916441.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET V=30V, I-10A
на замовлення 23938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.79 грн
13+28.94 грн
100+17.74 грн
500+14.02 грн
1000+11.98 грн
3000+10.99 грн
6000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+41.07 грн
21+33.72 грн
25+33.38 грн
100+20.43 грн
250+15.99 грн
500+14.21 грн
1000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF Виробник : Toshiba docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU MOSFET P-CH 30V 10A UDFNB-6
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Виробник : Toshiba 47037524870889004703751692370259ssm6j507nu_datasheet_en_20151110.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.