Продукція > TOSHIBA > SSM6J511NU,LF(T

SSM6J511NU,LF(T TOSHIBA

Name: SSM6J511NU,LF(T
Brand: TOSHIBA
SKU: 29622089-8
Price: 457.65 UAH
Availability: InStock

Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -14A; 1.25W; uDFN6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -14A
Power dissipation: 1.25W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 19.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 4175 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
15+	30.51 грн
17+	25.28 грн
50+	19.02 грн
100+	16.72 грн
200+	14.66 грн
500+	12.27 грн
1000+	10.87 грн
3000+	10.21 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SSM6J511NU,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6J511NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 14 A, 6500 µohm, UDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: UDFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM6J511NU,LF(T

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	SSM6J511NU,LF(T	TOSHIBA	Description: TOSHIBA - SSM6J511NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 14 A, 6500 µohm, UDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: UDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: To Be Advised	на замовлення 7730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн.
	SSM6J511NU,LF(T	TOSHIBA	Description: TOSHIBA - SSM6J511NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 14 A, 6500 µohm, UDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.25W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: UDFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: To Be Advised	на замовлення 1730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

SSM6J511NU,LF(T

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J511NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 14 A, 6500 µohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 7730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SSM6J511NU,LF(T

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J511NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 14 A, 6500 µohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.