SSM6J511NU,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J511NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 14 A, 0.0065 ohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM6J511NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 14 A, 0.0065 ohm, UDFN, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.07 грн |
| 500+ | 11.59 грн |
| 1000+ | 7.55 грн |
| 5000+ | 7.05 грн |
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Технічний опис SSM6J511NU,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J511NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 14 A, 0.0065 ohm, UDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: UDFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM6J511NU,LF(T за ціною від 7.05 грн до 42.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
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SSM6J511NU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - SSM6J511NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 14 A, 0.0065 ohm, UDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: UDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM6J511NU,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 14A 6-Pin UDFN-B EP T/R |
товару немає в наявності |
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SSM6J511NU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -14A; 1.25W; uDFN6; ESD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: uDFN6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -14A Gate charge: 47nC On-state resistance: 19.2mΩ Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±10V |
товару немає в наявності |