Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6J511NU,LF
SSM6J511NU,LF

SSM6J511NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=30767&prodName=SSM6J511NU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 6 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.83 грн
6000+8.41 грн
9000+8.00 грн
15000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J511NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2), Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SSM6J511NU,LF за ціною від 8.57 грн до 47.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6J511NU,LF SSM6J511NU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30767&prodName=SSM6J511NU Description: MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 6 V
на замовлення 17488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.46 грн
13+25.74 грн
100+16.45 грн
500+11.67 грн
1000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J511NU,LF SSM6J511NU,LF Виробник : Toshiba 1482E0E2CBC6543B31FB5E8A409B03A18951B42987D30C554E770AB62FDB8DA9.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET Power MGMT switch
на замовлення 17263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.13 грн
13+28.68 грн
100+15.99 грн
500+12.05 грн
1000+10.76 грн
3000+9.63 грн
6000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.