Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6J511NU,LF
SSM6J511NU,LF

SSM6J511NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=30767&prodName=SSM6J511NU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 6 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.83 грн
9000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J511NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2), Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SSM6J511NU,LF за ціною від 12.78 грн до 47.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6J511NU,LF SSM6J511NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30767&prodName=SSM6J511NU Description: MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 6 V
на замовлення 29010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.37 грн
11+28.05 грн
50+20.42 грн
100+16.85 грн
500+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J511NU,LF SSM6J511NU,LF Toshiba 1482E0E2CBC6543B31FB5E8A409B03A18951B42987D30C554E770AB62FDB8DA9.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET Power MGMT switch
на замовлення 19750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J511NU,LF docget.jsp?did=30767&prodName=SSM6J511NU
SSM6J511NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 6 V
на замовлення 29010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.37 грн
11+28.05 грн
50+20.42 грн
100+16.85 грн
500+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J511NU,LF 1482E0E2CBC6543B31FB5E8A409B03A18951B42987D30C554E770AB62FDB8DA9.pdf
SSM6J511NU,LF
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small-signal MOSFET Power MGMT switch
на замовлення 19750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.