SSM6J512NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.53 грн |
| 18+ | 17.90 грн |
| 100+ | 10.76 грн |
| 500+ | 9.35 грн |
| 1000+ | 6.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6J512NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 4A, 8V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SSM6J512NU,LF за ціною від 7.67 грн до 36.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6J512NU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Small-signal MOSFET Vdss=-12V, Id=-10A |
на замовлення 13337 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|