Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6J512NU,LF
SSM6J512NU,LF

SSM6J512NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J512NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=30386&prodName=SSM6J512NU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.67 грн
18+18.01 грн
100+10.82 грн
500+9.40 грн
1000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J512NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 4A, 8V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SSM6J512NU,LF за ціною від 7.65 грн до 41.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6J512NU,LF SSM6J512NU,LF Виробник : Toshiba SSM6J512NU_datasheet_en_20210917-1916543.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET Vdss=-12V, Id=-10A
на замовлення 4505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.63 грн
14+25.80 грн
100+14.64 грн
500+11.33 грн
1000+10.37 грн
3000+8.09 грн
9000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J512NU,LF SSM6J512NU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J512NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=30386&prodName=SSM6J512NU Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.