Продукція > TOSHIBA > SSM6J771G,LF(S

SSM6J771G,LF(S TOSHIBA



Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J771G,LF(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.031 ohm, WCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: WCSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J771G,LF(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6J771G,LF(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.031 ohm, WCSP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: WCSP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSIV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 8.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm.

Інші пропозиції SSM6J771G,LF(S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6J771G,LF(S SSM6J771G,LF(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6J771G,LF(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.031 ohm, WCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: WCSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J771G,LF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J771G,LF(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.031 ohm, WCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: WCSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.