SSM6J771G,LF(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J771G,LF(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.031 ohm, WCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: WCSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 24.04 грн |
| 500+ | 19.31 грн |
| 1000+ | 16.88 грн |
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Технічний опис SSM6J771G,LF(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J771G,LF(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.031 ohm, WCSP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: WCSP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSIV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 8.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM6J771G,LF(S за ціною від 16.88 грн до 47.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
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SSM6J771G,LF(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6J771G,LF(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.031 ohm, WCSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: WCSP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSIV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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