SSM6J771G,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 3A, 8.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.62 грн |
| 10+ | 41.98 грн |
| 100+ | 27.45 грн |
| 500+ | 19.88 грн |
| 1000+ | 17.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6J771G,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 3A, 8.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SSM6J771G,LF за ціною від 16.67 грн до 74.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6J771G,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs P-Ch SSM -5A -20V 12V VGSS 0.035Ohm |
на замовлення 2847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|