SSM6J771G,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 3A, 8.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.52 грн |
| 10+ | 43.73 грн |
| 100+ | 28.59 грн |
| 500+ | 20.71 грн |
| 1000+ | 18.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6J771G,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 3A, 8.5V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM6J771G,LF за ціною від 18.06 грн до 80.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6J771G,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs P-Ch SSM -5A -20V 12V VGSS 0.035Ohm |
на замовлення 2847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM6J771G,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 3A, 8.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |