Продукція > TOSHIBA > SSM6J808R,LXHF(T
SSM6J808R,LXHF(T

SSM6J808R,LXHF(T TOSHIBA


4163381.pdf
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J808R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2673 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.52 грн
500+22.42 грн
1000+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J808R,LXHF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6J808R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM6J808R,LXHF(T за ціною від 18.62 грн до 81.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6J808R,LXHF(T SSM6J808R,LXHF(T Виробник : TOSHIBA 4163381.pdf Description: TOSHIBA - SSM6J808R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+81.57 грн
16+50.88 грн
100+33.52 грн
500+22.42 грн
1000+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.