SSM6J808R,LXHF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J808R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
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Технічний опис SSM6J808R,LXHF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J808R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.
Інші пропозиції SSM6J808R,LXHF(T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SSM6J808R,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6J808R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.5W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm |
на замовлення 2473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SSM6J808R,LXHF(T |
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Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J808R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
Description: TOSHIBA - SSM6J808R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)