Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6K202FE,LF
SSM6K202FE,LF

SSM6K202FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K202FE_datasheet_en_20220203.pdf?did=7258&prodName=SSM6K202FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+12.53 грн
8000+11.29 грн
12000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6K202FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 4V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM6K202FE,LF за ціною від 11.32 грн до 35.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6K202FE,LF SSM6K202FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K202FE_datasheet_en_20220203.pdf?did=7258&prodName=SSM6K202FE Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
на замовлення 15376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.41 грн
11+29.20 грн
100+21.79 грн
500+16.07 грн
1000+12.42 грн
2000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K202FE,LF SSM6K202FE,LF Toshiba SSM6K202FE_datasheet_en_20220203-1075539.pdf MOSFETs Small-signal FET 2.3A 30V 0.145Ohm
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K202FE,LF SSM6K202FE_datasheet_en_20220203.pdf?did=7258&prodName=SSM6K202FE
SSM6K202FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
на замовлення 15376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.41 грн
11+29.20 грн
100+21.79 грн
500+16.07 грн
1000+12.42 грн
2000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K202FE,LF SSM6K202FE_datasheet_en_20220203-1075539.pdf
SSM6K202FE,LF
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small-signal FET 2.3A 30V 0.145Ohm
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.