Продукція > TOSHIBA > SSM6K341NU,LF(T
SSM6K341NU,LF(T

SSM6K341NU,LF(T TOSHIBA


4008617.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K341NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.00 грн
9000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6K341NU,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6K341NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM6K341NU,LF(T за ціною від 10.23 грн до 43.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6K341NU,LF(T SSM6K341NU,LF(T Виробник : TOSHIBA 4008617.pdf Description: TOSHIBA - SSM6K341NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.00 грн
9000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K341NU,LF(T SSM6K341NU,LF(T Виробник : TOSHIBA 4008617.pdf Description: TOSHIBA - SSM6K341NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.14 грн
500+14.64 грн
1500+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K341NU,LF(T SSM6K341NU,LF(T Виробник : TOSHIBA 4008617.pdf Description: TOSHIBA - SSM6K341NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.21 грн
50+31.45 грн
100+21.14 грн
500+14.64 грн
1500+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K341NU,LF(T Виробник : Toshiba ssm6k341nu_datasheet_en_20200107.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 6-Pin UDFN-B EP T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
550+22.14 грн
553+22.04 грн
620+19.65 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 550
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K341NU,LF(T Виробник : Toshiba MOSFETs Silicon N-channel MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.