SSM6K341NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.00 грн |
| 6000+ | 9.70 грн |
| 9000+ | 9.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6K341NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SSM6K341NU,LF за ціною від 9.78 грн до 53.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM6K341NU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Surface Mount |
на замовлення 13704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6K341NU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V |
на замовлення 570586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SSM6K341NU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET N-CH 60V 6A UDFN6B Транзистори |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|