Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6K341NU,LF
SSM6K341NU,LF

SSM6K341NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K341NU_datasheet_en_20200107.pdf?did=56020&prodName=SSM6K341NU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.88 грн
6000+ 9.03 грн
9000+ 8.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6K341NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM6K341NU,LF за ціною від 8.1 грн до 31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM6K341NU,LF SSM6K341NU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K341NU_datasheet_en_20200107.pdf?did=56020&prodName=SSM6K341NU Description: MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 18988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.46 грн
12+ 24.15 грн
100+ 16.78 грн
500+ 12.29 грн
1000+ 9.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM6K341NU,LF SSM6K341NU,LF Виробник : Toshiba SSM6K341NU_datasheet_en_20200107-1289309.pdf MOSFET LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
на замовлення 658137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31 грн
12+ 26.89 грн
100+ 16.27 грн
500+ 12.69 грн
1000+ 10.3 грн
3000+ 8.7 грн
9000+ 8.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM6K341NU,LF Виробник : Toshiba SSM6K341NU_datasheet_en_20200107.pdf?did=56020&prodName=SSM6K341NU MOSFET N-CH 60V 6A UDFN6B
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SSM6K341NU,LF Виробник : Toshiba ssm6k341nu_datasheet_en_20200107.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive 6-Pin UDFN-B EP T/R
товар відсутній
SSM6K341NU,LF SSM6K341NU,LF Виробник : Toshiba ssm6k341nu_datasheet_en_20200107.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN-B EP T/R
товар відсутній
SSM6K341NU,LF SSM6K341NU,LF Виробник : Toshiba ssm6k341nu_datasheet_en_20200107.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN-B EP T/R
товар відсутній