SSM6K361NU,LF

SSM6K361NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage


SSM6K361NU_datasheet_en_20200417.pdf?did=56023&prodName=SSM6K361NU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.48 грн
6000+ 8.67 грн
9000+ 8.05 грн
30000+ 7.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6K361NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SSM6K361NU,LF за ціною від 7.88 грн до 31.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM6K361NU,LF SSM6K361NU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K361NU_datasheet_en_20200417.pdf?did=56023&prodName=SSM6K361NU Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 33878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.16 грн
13+ 23.16 грн
100+ 16.1 грн
500+ 11.79 грн
1000+ 9.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
SSM6K361NU,LF SSM6K361NU,LF Виробник : Toshiba SSM6K361NU_datasheet_en_20200417-1289314.pdf MOSFET LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
на замовлення 146969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.16 грн
12+ 25.64 грн
100+ 15.49 грн
500+ 11.95 грн
1000+ 9.68 грн
3000+ 8.48 грн
9000+ 7.88 грн
Мінімальне замовлення: 10