Продукція > TOSHIBA > SSM6K406TU,LF(T
SSM6K406TU,LF(T

SSM6K406TU,LF(T Toshiba

40ssm6k406tu_en_datasheet_080703.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.4A 6-Pin UF T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+44.89 грн
20+38.16 грн
25+31.57 грн
100+24.37 грн
500+18.88 грн
1000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6K406TU,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM6K406TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.025 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-363F, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSIV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM6K406TU,LF(T за ціною від 17.45 грн до 44.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6K406TU,LF(T SSM6K406TU,LF(T Toshiba 40ssm6k406tu_en_datasheet_080703.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.4A 6-Pin UF T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+44.89 грн
369+38.16 грн
445+31.57 грн
556+24.37 грн
665+18.88 грн
1000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K406TU,LF(T SSM6K406TU,LF(T TOSHIBA 4163427.pdf Description: TOSHIBA - SSM6K406TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.025 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K406TU,LF(T SSM6K406TU,LF(T TOSHIBA 4163427.pdf Description: TOSHIBA - SSM6K406TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.025 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K406TU,LF(T 40ssm6k406tu_en_datasheet_080703.pdf
SSM6K406TU,LF(T
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.4A 6-Pin UF T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
313+44.89 грн
369+38.16 грн
445+31.57 грн
556+24.37 грн
665+18.88 грн
1000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K406TU,LF(T 4163427.pdf
SSM6K406TU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K406TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.025 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K406TU,LF(T 4163427.pdf
SSM6K406TU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K406TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.025 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.