SSM6K504NU,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 18A; 1.25W; uDFN6; ESD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 26mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Case: uDFN6
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 11.85 грн |
| 50+ | 9.17 грн |
| 100+ | 8.25 грн |
| 500+ | 8.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6K504NU,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K504NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0195 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSVII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM6K504NU,LF(T за ціною від 9.54 грн до 30.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6K504NU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6K504NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0195 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm |
на замовлення 2641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM6K504NU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 18A; 1.25W; uDFN6; ESD Polarisation: unipolar Gate charge: 4.8nC On-state resistance: 26mΩ Power dissipation: 1.25W Drain current: 9A Pulsed drain current: 18A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Case: uDFN6 Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1653 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM6K504NU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6K504NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0195 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSVII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|