SSM6K504NU,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K504NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0195 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
Description: TOSHIBA - SSM6K504NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0195 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.70 грн |
| 500+ | 10.14 грн |
| 1000+ | 9.21 грн |
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Технічний опис SSM6K504NU,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K504NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0195 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSVII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM6K504NU,LF(T за ціною від 9.21 грн до 29.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
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SSM6K504NU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6K504NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0195 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSVII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SSM6K504NU,LF(T | Виробник : TOSHIBA | SSM6K504NU SMD N channel transistors |
на замовлення 1659 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
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