SSM6K504NU,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 18A; 1.25W; uDFN6; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: uDFN6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 18A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 26mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 12.07 грн |
| 45+ | 9.40 грн |
| 100+ | 8.45 грн |
| 115+ | 8.29 грн |
| 310+ | 7.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6K504NU,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K504NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0195 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSVII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM6K504NU,LF(T за ціною від 9.00 грн до 29.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM6K504NU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 18A; 1.25W; uDFN6; ESD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: uDFN6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 18A Drain-source voltage: 30V Drain current: 9A Gate charge: 4.8nC On-state resistance: 26mΩ Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1664 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SSM6K504NU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6K504NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0195 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSVII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|