Продукція > TOSHIBA > SSM6K504NU,LF(T
SSM6K504NU,LF(T

SSM6K504NU,LF(T TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K504NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0195 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.80 грн
500+9.36 грн
1000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6K504NU,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6K504NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0195 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSVII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM6K504NU,LF(T за ціною від 7.93 грн до 27.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6K504NU,LF(T SSM6K504NU,LF(T Виробник : TOSHIBA SSM6K504NU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 18A; 1.25W; uDFN6; ESD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 26mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Case: uDFN6
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+11.74 грн
50+9.08 грн
100+8.17 грн
500+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K504NU,LF(T SSM6K504NU,LF(T Виробник : TOSHIBA SSM6K504NU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 18A; 1.25W; uDFN6; ESD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 26mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Case: uDFN6
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
25+14.09 грн
30+11.32 грн
100+9.81 грн
500+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K504NU,LF(T SSM6K504NU,LF(T Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6K504NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0195 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.53 грн
43+18.89 грн
100+10.80 грн
500+9.36 грн
1000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.