Продукція > TOSHIBA > SSM6K513NU,LF(T
SSM6K513NU,LF(T

SSM6K513NU,LF(T TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K513NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 8900 µohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.23 грн
500+15.69 грн
1000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6K513NU,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6K513NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 8900 µohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Anzahl der Pins: 6Pin(s), productTraceability: No, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm.