SSM6K514NU,LF(T Toshiba
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 402+ | 35.01 грн |
| 459+ | 30.65 грн |
| 521+ | 27.00 грн |
| 612+ | 22.15 грн |
| 703+ | 17.85 грн |
| 901+ | 13.37 грн |
| 1000+ | 12.72 грн |
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Технічний опис SSM6K514NU,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM6K514NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0116 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm.
Інші пропозиції SSM6K514NU,LF(T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SSM6K514NU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6K514NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0116 ohm, SOT-1220, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 1.25W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SSM6K514NU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6K514NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0116 ohm, SOT-1220, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 1.25W Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SSM6K514NU,LF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K514NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0116 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
Description: TOSHIBA - SSM6K514NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0116 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1220
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Produktpalette: U-MOSIX-H Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM6K514NU,LF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K514NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0116 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
Description: TOSHIBA - SSM6K514NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0116 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




