SSM6K516NU,LF

SSM6K516NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage


Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6K516NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SSM6K516NU,LF за ціною від 8.23 грн до 32.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6K516NU,LF SSM6K516NU,LF Виробник : Toshiba SSM6K516NU_datasheet_en_20240415-1902084.pdf MOSFETs MOS TRANSISTOR
на замовлення 5321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.82 грн
16+22.13 грн
100+13.88 грн
500+11.39 грн
1000+9.58 грн
3000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K516NU,LF SSM6K516NU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 5845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.65 грн
12+26.73 грн
100+18.57 грн
500+13.61 грн
1000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.