SSM6K810R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6K810R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: 6-TSOP-F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SSM6K810R,LF за ціною від 10.18 грн до 54.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM6K810R,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: 6-TSOP-F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V |
на замовлення 5720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6K810R,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=100V, VGSS=+/-20V, RDS(a.4.5V)=0.092ohm, ID=3.5A |
на замовлення 2881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|