Продукція > TOSHIBA > SSM6K810R,LXHF(T
SSM6K810R,LXHF(T

SSM6K810R,LXHF(T TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K810R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.08 грн
500+24.48 грн
1000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6K810R,LXHF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6K810R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSVII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM6K810R,LXHF(T за ціною від 20.46 грн до 83.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6K810R,LXHF(T SSM6K810R,LXHF(T Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6K810R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.59 грн
16+52.01 грн
100+34.08 грн
500+24.48 грн
1000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.