Продукція > TOSHIBA > SSM6K819R,LF(T
SSM6K819R,LF(T

SSM6K819R,LF(T TOSHIBA

4008632.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K819R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.0258 ohm, TSOP-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP-F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.04 грн
500+25.16 грн
1500+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6K819R,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6K819R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.0258 ohm, TSOP-F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TSOP-F, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM6K819R,LF(T за ціною від 21.02 грн до 85.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6K819R,LF(T SSM6K819R,LF(T Виробник : TOSHIBA 4008632.pdf Description: TOSHIBA - SSM6K819R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.0258 ohm, TSOP-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP-F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.47 грн
50+53.67 грн
100+35.04 грн
500+25.16 грн
1500+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LF(T Виробник : Toshiba S-MOS / N-CH FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.