SSM6K819R,LXHF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K819R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.0258 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM6K819R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.0258 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 50.80 грн |
| 500+ | 37.17 грн |
| 1000+ | 31.21 грн |
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Технічний опис SSM6K819R,LXHF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K819R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.0258 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSVII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM6K819R,LXHF(T за ціною від 31.21 грн до 120.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
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SSM6K819R,LXHF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6K819R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.0258 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSVII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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