SSM6K824R,LF

SSM6K824R,LF Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=141471&prodName=SSM6K824R Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 20V, +/-8V, 6A ,0.03
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6K824R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: N-CH MOSFET 20V, +/-8V, 6A ,0.03, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-TSOP-F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM6K824R,LF за ціною від 7.77 грн до 38.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6K824R,LF SSM6K824R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=141471&prodName=SSM6K824R Description: N-CH MOSFET 20V, +/-8V, 6A ,0.03
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.47 грн
15+21.62 грн
100+14.62 грн
500+10.70 грн
1000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K824R,LF SSM6K824R,LF Виробник : Toshiba SSM6K824R_datasheet_en_20211102-3082756.pdf MOSFETs
на замовлення 11875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.47 грн
12+30.20 грн
100+14.56 грн
1000+9.89 грн
2500+7.85 грн
25000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.