SSM6L14FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), 720mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 10V, 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V, 1.76nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 6.83 грн |
| 8000+ | 5.46 грн |
| 12000+ | 5.44 грн |
| 20000+ | 5.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6L14FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - SSM6L14FE(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 720 mA, 0.24 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 720mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM6L14FE(TE85L,F) за ціною від 5.01 грн до 35.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6L14FE(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6L14FE(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 720 mA, 0.24 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 720mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM6L14FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), 720mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 10V, 110pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V, 1.76nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: ES6 |
на замовлення 26440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6L14FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V |
на замовлення 314060 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM6L14FE(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6L14FE(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 720 mA, 0.24 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 720mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6L14FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 0.8A/0.72A 6-Pin ES T/R |
товару немає в наявності |