Продукція > TOSHIBA > SSM6L35FE,LM(T

SSM6L35FE,LM(T TOSHIBA


4008619.pdf
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6L35FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 180 mA, 100 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+14.71 грн
250+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6L35FE,LM(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6L35FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 180 mA, 100 mA, 3 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SSM6L35FE,LM(T за ціною від 9.27 грн до 23.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6L35FE,LM(T SSM6L35FE,LM(T TOSHIBA 4008619.pdf Description: TOSHIBA - SSM6L35FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 180 mA, 100 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.74 грн
56+14.71 грн
250+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FE,LM(T 4008619.pdf
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6L35FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 180 mA, 100 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+23.74 грн
56+14.71 грн
250+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.