Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6L35FE,LM
SSM6L35FE,LM

SSM6L35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L16FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=1226&prodName=SSM6L16FE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.12 грн
8000+4.72 грн
12000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6L35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: ES6.

Інші пропозиції SSM6L35FE,LM за ціною від 4.63 грн до 35.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6L35FE,LM SSM6L35FE,LM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L16FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=1226&prodName=SSM6L16FE Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 27310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.65 грн
16+19.24 грн
100+9.69 грн
500+7.42 грн
1000+5.50 грн
2000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FE,LM SSM6L35FE,LM Виробник : Toshiba SSM6L35FE_datasheet_en_20150909-1916198.pdf MOSFET Small Signal MOSFET
на замовлення 6152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.19 грн
13+26.82 грн
100+13.24 грн
500+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.