| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.52 грн |
| 100+ | 18.64 грн |
| 500+ | 12.73 грн |
| 1000+ | 9.85 грн |
| 3000+ | 6.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6L35FU(TE85L,F) Toshiba
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6, Part Status: Active, Supplier Device Package: US6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 200mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SSM6L35FU(TE85L,F) за ціною від 7.12 грн до 31.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6L35FU(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 200mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM6L35FU(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6 Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 200mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |