на замовлення 35261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.88 грн |
| 100+ | 19.50 грн |
| 500+ | 13.32 грн |
| 1000+ | 10.30 грн |
| 3000+ | 6.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6L35FU(TE85L,F) Toshiba
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 200mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: US6, Part Status: Active.
Інші пропозиції SSM6L35FU(TE85L,F) за ціною від 7.17 грн до 31.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6L35FU(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: US6 Part Status: Active |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM6L35FU(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: US6 Part Status: Active |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
SSM6L35FU(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 0.18A/0.1A 6-Pin US T/R |
товару немає в наявності |