SSM6L35FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.35 грн |
| 14+ | 22.95 грн |
| 100+ | 14.29 грн |
| 500+ | 9.18 грн |
| 1000+ | 7.06 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
10 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6L35FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 200mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: US6, Part Status: Active.
Інші пропозиції SSM6L35FU(TE85L,F)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6L35FU(TE85L,F) | Toshiba |
MOSFETs N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1 |
на замовлення 2913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
SSM6L35FU(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: US6 Part Status: Active |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2900 шт В кошику од. на суму грн. |
| SSM6L35FU(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
MOSFETs N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SSM6L35FU(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)