Продукція > TOSHIBA > SSM6L36FE,LM(T
SSM6L36FE,LM(T

SSM6L36FE,LM(T TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6L36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 330 mA, 0.63 ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.31ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+4.25 грн
12000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6L36FE,LM(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6L36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 330 mA, 0.63 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.31ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SSM6L36FE,LM(T за ціною від 3.79 грн до 25.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6L36FE,LM(T SSM6L36FE,LM(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6L36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 330 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.31ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.25 грн
12000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FE,LM(T SSM6L36FE,LM(T TOSHIBA 4008620.pdf Description: TOSHIBA - SSM6L36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 330 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.31ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.93 грн
250+10.00 грн
1000+6.11 грн
2000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FE,LM(T SSM6L36FE,LM(T TOSHIBA 4008620.pdf Description: TOSHIBA - SSM6L36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 330 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.31ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.85 грн
52+15.93 грн
250+10.00 грн
1000+6.11 грн
2000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FE,LM(T
SSM6L36FE,LM(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6L36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 330 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.31ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+4.25 грн
12000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FE,LM(T 4008620.pdf
SSM6L36FE,LM(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6L36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 330 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.31ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+15.93 грн
250+10.00 грн
1000+6.11 грн
2000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FE,LM(T 4008620.pdf
SSM6L36FE,LM(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6L36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 330 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.31ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+25.85 грн
52+15.93 грн
250+10.00 грн
1000+6.11 грн
2000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.