SSM6L36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.17 грн |
| 20+ | 15.34 грн |
| 100+ | 9.64 грн |
| 500+ | 6.72 грн |
| 1000+ | 5.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6L36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 330mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.
Інші пропозиції SSM6L36FE,LM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6L36FE,LM | Toshiba |
MOSFET Small-signal MOSFET 2-in-1 |
на замовлення 81779 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM6L36FE,LM |
|
Виробник: Toshiba
MOSFET Small-signal MOSFET 2-in-1
MOSFET Small-signal MOSFET 2-in-1
на замовлення 81779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)