SSM6L39TU,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6L39TU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.6 A, 1.6 A, 0.087 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.087ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.087ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 17.65 грн |
| 500+ | 12.46 грн |
| 1000+ | 7.60 грн |
| 5000+ | 6.97 грн |
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Технічний опис SSM6L39TU,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6L39TU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.6 A, 1.6 A, 0.087 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.087ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363F, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.087ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM6L39TU,LF(T за ціною від 10.11 грн до 51.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
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SSM6L39TU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - SSM6L39TU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.6 A, 1.6 A, 0.087 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.087ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363F Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.087ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 7523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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