SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 42.33 грн |
| 12+ | 25.36 грн |
| 100+ | 16.20 грн |
| 500+ | 11.49 грн |
| 1000+ | 10.29 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
8 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UF6, Part Status: Active.
Інші пропозиції SSM6L39TU,LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6L39TU,LF | Toshiba |
MOSFETs Small Signal MOSFET |
на замовлення 1219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM6L39TU,LF |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small Signal MOSFET
MOSFETs Small Signal MOSFET
на замовлення 1219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)