на замовлення 13855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.96 грн |
| 13+ | 27.75 грн |
| 100+ | 13.39 грн |
| 1000+ | 9.20 грн |
| 3000+ | 7.72 грн |
| 9000+ | 7.28 грн |
| 24000+ | 7.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6L39TU,LF Toshiba
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UF6, Part Status: Active.
Інші пропозиції SSM6L39TU,LF за ціною від 10.45 грн до 42.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6L39TU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: UF6 Part Status: Active |
на замовлення 1661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM6L39TU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: UF6 Part Status: Active |
товару немає в наявності |