
SSM6L56FE,LM(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6L56FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.235 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - SSM6L56FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.235 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 6.74 грн |
1000+ | 4.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6L56FE,LM(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6L56FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.235 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.39ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.235ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM6L56FE,LM(T за ціною від 4.60 грн до 20.80 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM6L56FE,LM(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6L56FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.235 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.39ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.235ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
SSM6L56FE,LM(T | Виробник : Toshiba | 0 |
на замовлення 3386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SSM6L56FE,LM(T | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 0.8A 6-Pin ES T/R |
товару немає в наявності |