Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6L56FE,LM
SSM6L56FE,LM

SSM6L56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=66256&prodName=SSM6L56FE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 10V, 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V, 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+2.95 грн
8000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6L56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 10V, 100pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V, 390mOhm @ 800mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: ES6.

Інші пропозиції SSM6L56FE,LM за ціною від 3.03 грн до 22.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6L56FE,LM SSM6L56FE,LM Виробник : Toshiba SSM6L56FE_datasheet_en_20190801-1901888.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch + Pch Vdss: 20V Id: 800mA Pd: 0.15W
на замовлення 11118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+21.40 грн
26+13.69 грн
100+5.46 грн
1000+4.47 грн
4000+3.94 грн
8000+3.26 грн
24000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L56FE,LM SSM6L56FE,LM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=66256&prodName=SSM6L56FE Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 10V, 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V, 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 96882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.14 грн
24+13.42 грн
100+6.57 грн
500+5.84 грн
1000+5.17 грн
2000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L56FE,LM SSM6L56FE,LM Виробник : Toshiba ssm6l56fe_datasheet_en_20190801.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 0.8A 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L56FE,LM SSM6L56FE,LM Виробник : Toshiba ssm6l56fe_datasheet_en_20190801.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 0.8A 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L56FE,LM SSM6L56FE,LM Виробник : Toshiba ssm6l56fe_datasheet_en_20190801.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 0.8A 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.