Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6L56FE,LM
SSM6L56FE,LM

SSM6L56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L56FE_datasheet_en_20190801.pdf?did=66256&prodName=SSM6L56FE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 10V, 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V, 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.83 грн
18+ 16.13 грн
100+ 8.14 грн
500+ 6.23 грн
1000+ 4.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6L56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 10V, 100pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V, 390mOhm @ 800mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: ES6.

Інші пропозиції SSM6L56FE,LM за ціною від 2.74 грн до 26.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM6L56FE,LM SSM6L56FE,LM Виробник : Toshiba SSM6L56FE_datasheet_en_20190801-1901888.pdf MOSFET Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch + Pch Vdss: 20V Id: 800mA Pd: 0.15W
на замовлення 42813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.09 грн
18+ 17.89 грн
100+ 6.48 грн
1000+ 4.01 грн
8000+ 3.27 грн
24000+ 3.07 грн
48000+ 2.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
SSM6L56FE,LM Виробник : Toshiba SSM6L56FE_datasheet_en_20190801.pdf?did=66256&prodName=SSM6L56FE Транз. Пол. ММ N&P MOSFET ES-6 Udss=(20; -20)V; Id=(0,8; -0,8)A; Pdmax=1/4W; Rds=(0,235; 0,39) Ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.06 грн
18+ 14.49 грн
Мінімальне замовлення: 14
SSM6L56FE,LM SSM6L56FE,LM Виробник : Toshiba ssm6l56fe_datasheet_en_20190801.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 0.8A 6-Pin ES T/R
товар відсутній
SSM6L56FE,LM SSM6L56FE,LM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L56FE_datasheet_en_20190801.pdf?did=66256&prodName=SSM6L56FE Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 10V, 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V, 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товар відсутній