Продукція > TOSHIBA > SSM6L61NU,LF(T
SSM6L61NU,LF(T

SSM6L61NU,LF(T TOSHIBA

3622448.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6L61NU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.71 грн
500+14.79 грн
1000+9.48 грн
5000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6L61NU,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6L61NU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.025 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: UDFN, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM6L61NU,LF(T за ціною від 8.35 грн до 49.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6L61NU,LF(T SSM6L61NU,LF(T Виробник : Toshiba 744928487922585744926428285357ssm6l61nu_datasheet_en_20160414.pdf.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
491+24.89 грн
493+24.78 грн
514+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 491
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L61NU,LF(T SSM6L61NU,LF(T Виробник : TOSHIBA 3622448.pdf Description: TOSHIBA - SSM6L61NU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.10 грн
27+31.20 грн
100+20.71 грн
500+14.79 грн
1000+9.48 грн
5000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L61NU,LF(T SSM6L61NU,LF(T Виробник : Toshiba 744928487922585744926428285357ssm6l61nu_datasheet_en_20160414.pdf.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.