SSM6L61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6L61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2), Part Status: Active.
Інші пропозиції SSM6L61NU,LF за ціною від 8.21 грн до 31.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM6L61NU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 5405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6L61NU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A |
на замовлення 14153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SSM6L61NU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R |
товар відсутній |