
SSM6N15AFE,LM(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6N15AFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 5.29 грн |
1000+ | 3.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N15AFE,LM(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N15AFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSIII Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM6N15AFE,LM(T
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM6N15AFE,LM(T | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
SSM6N15AFE,LM(T | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |