на замовлення 7275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 24.38 грн |
| 24+ | 14.85 грн |
| 100+ | 8.21 грн |
| 500+ | 6.00 грн |
| 1000+ | 5.32 грн |
| 2000+ | 4.63 грн |
| 4000+ | 3.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N15AFE,LM Toshiba
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.
Інші пропозиції SSM6N15AFE,LM за ціною від 4.38 грн до 27.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6N15AFE,LM | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active |
на замовлення 3255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SSM6N15AFE,LM | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active |
на замовлення 3255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SSM6N15AFE,LM | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active |
товару немає в наявності |