Продукція > TOSHIBA > SSM6N15AFE,LM

SSM6N15AFE,LM Toshiba

6F4FBFC6ED582E4549EA0DB481CC7889CFCA9B1C9654D83EC4B6FB8CFD607A70.pdf

Виробник: Toshiba
MOSFETs 30V VDSS 20V VGSS N-Ch 150mW PD

на замовлення 3923 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SSM6N15AFE,LM Toshiba

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6, FET Feature: Logic Level Gate, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 150mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: ES6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA.

Інші пропозиції SSM6N15AFE,LM

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	SSM6N15AFE,LM	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 FET Feature: Logic Level Gate Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 150mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: ES6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн.
	SSM6N15AFE,LM	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 Part Status: Active Supplier Device Package: ES6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA FET Feature: Logic Level Gate Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 150mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

SSM6N15AFE,LM

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

SSM6N15AFE,LM

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.