Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6N15AFE,LM
SSM6N15AFE,LM

SSM6N15AFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N15AFE_datasheet_en_20140301.pdf?did=5870&prodName=SSM6N15AFE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N15AFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.

Інші пропозиції SSM6N15AFE,LM за ціною від 3.38 грн до 27.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6N15AFE,LM SSM6N15AFE,LM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFE_datasheet_en_20140301.pdf?did=5870&prodName=SSM6N15AFE Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.26 грн
18+17.55 грн
100+8.87 грн
500+6.79 грн
1000+5.04 грн
2000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFE,LM SSM6N15AFE,LM Виробник : Toshiba SSM6N15AFE_datasheet_en_20140301-1916518.pdf MOSFETs 30V VDSS 20V VGSS N-Ch 150mW PD
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.98 грн
18+19.46 грн
100+7.14 грн
1000+4.41 грн
4000+4.27 грн
8000+3.46 грн
24000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFE,LM SSM6N15AFE,LM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFE_datasheet_en_20140301.pdf?did=5870&prodName=SSM6N15AFE Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.