Продукція > TOSHIBA > SSM6N15AFU,LF(T
SSM6N15AFU,LF(T

SSM6N15AFU,LF(T TOSHIBA

3622449.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N15AFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.3 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.50 грн
1000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N15AFU,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6N15AFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.3 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM6N15AFU,LF(T за ціною від 3.38 грн до 16.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6N15AFU,LF(T SSM6N15AFU,LF(T Виробник : Toshiba 219docget.jsptypedatasheetlangenpidssm6n15afu.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin US T/R
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1513+8.03 грн
1654+7.34 грн
1929+6.30 грн
2044+5.73 грн
3000+4.97 грн
6000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 1513
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LF(T SSM6N15AFU,LF(T Виробник : TOSHIBA 3622449.pdf Description: TOSHIBA - SSM6N15AFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+16.51 грн
74+11.17 грн
143+5.75 грн
500+4.50 грн
1000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LF(T SSM6N15AFU,LF(T Виробник : Toshiba 219docget.jsptypedatasheetlangenpidssm6n15afu.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LF(T Виробник : TOSHIBA SSM6N15AFU Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.