Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6N16FE,L3F
SSM6N16FE,L3F

SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N16FE_datasheet_en_20170711.pdf?did=19750&prodName=SSM6N16FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 150mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS, Part Status: Active, Supplier Device Package: ES6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 150mW (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SSM6N16FE,L3F за ціною від 4.51 грн до 26.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6N16FE,L3F SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FE_datasheet_en_20170711.pdf?did=19750&prodName=SSM6N16FE Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 150mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.94 грн
16+19.20 грн
100+10.89 грн
500+6.76 грн
1000+5.19 грн
2000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3F SSM6N16FE,L3F Toshiba 4131344639463937343646433034463738424134363835413738414138313532.pdf MOSFETs Sm-signal/HiSpeed2n1 ES6 (SOT-563)
на замовлення 18765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3F SSM6N16FE_datasheet_en_20170711.pdf?did=19750&prodName=SSM6N16FE
SSM6N16FE,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 150mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.94 грн
16+19.20 грн
100+10.89 грн
500+6.76 грн
1000+5.19 грн
2000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3F 4131344639463937343646433034463738424134363835413738414138313532.pdf
SSM6N16FE,L3F
Виробник: Toshiba
MOSFETs Sm-signal/HiSpeed2n1 ES6 (SOT-563)
на замовлення 18765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.