Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6N16FE,L3F
SSM6N16FE,L3F

SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N16FE_datasheet_en_20170711.pdf?did=19750&prodName=SSM6N16FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 8000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.

Інші пропозиції SSM6N16FE,L3F за ціною від 4.59 грн до 27.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6N16FE,L3F SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FE_datasheet_en_20170711.pdf?did=19750&prodName=SSM6N16FE Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
16+19.55 грн
100+11.09 грн
500+6.89 грн
1000+5.28 грн
2000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3F SSM6N16FE,L3F Toshiba 4131344639463937343646433034463738424134363835413738414138313532.pdf MOSFETs Sm-signal/HiSpeed2n1 ES6 (SOT-563)
на замовлення 17905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3F SSM6N16FE_datasheet_en_20170711.pdf?did=19750&prodName=SSM6N16FE
SSM6N16FE,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.43 грн
16+19.55 грн
100+11.09 грн
500+6.89 грн
1000+5.28 грн
2000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3F 4131344639463937343646433034463738424134363835413738414138313532.pdf
SSM6N16FE,L3F
Виробник: Toshiba
MOSFETs Sm-signal/HiSpeed2n1 ES6 (SOT-563)
на замовлення 17905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.