Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N17FU(TE85L,F) Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 40 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: US6, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 40ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 200mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SSM6N17FU(TE85L,F) за ціною від 6.28 грн до 26.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6N17FU(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Supplier Device Package: US6 Part Status: Active |
на замовлення 1091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SSM6N17FU(TE85L,F) | Toshiba |
MOSFETs 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V |
на замовлення 7808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SSM6N17FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 40 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: US6 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 40ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SSM6N17FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 40 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SSM6N17FU(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.94 грн |
| 19+ | 16.01 грн |
| 100+ | 10.09 грн |
| 500+ | 7.05 грн |
| 1000+ | 6.28 грн |
| SSM6N17FU(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V
MOSFETs 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V
на замовлення 7808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SSM6N17FU(TE85L,F) |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 40 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: US6
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 40ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 40 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: US6
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 40ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM6N17FU(TE85L,F) |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 40 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 40 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)