Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6N35AFE,LF
SSM6N35AFE,LF

SSM6N35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=55422&prodName=SSM6N35AFE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+3.70 грн
8000+3.08 грн
12000+3.01 грн
20000+2.76 грн
28000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: ES6.

Інші пропозиції SSM6N35AFE,LF за ціною від 3.79 грн до 11.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6N35AFE,LF SSM6N35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55422&prodName=SSM6N35AFE Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
на замовлення 35041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.55 грн
45+6.60 грн
100+4.72 грн
500+4.11 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35AFE,LF SSM6N35AFE,LF Toshiba 953C41EFE3C5C357CB08A94966EA82FAC7C002928CACCD3014811EB2F0A14193.pdf MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
на замовлення 97294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35AFE,LF docget.jsp?did=55422&prodName=SSM6N35AFE
SSM6N35AFE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
на замовлення 35041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.55 грн
45+6.60 грн
100+4.72 грн
500+4.11 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35AFE,LF 953C41EFE3C5C357CB08A94966EA82FAC7C002928CACCD3014811EB2F0A14193.pdf
SSM6N35AFE,LF
Виробник: Toshiba
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
на замовлення 97294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.