SSM6N35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 4.51 грн |
| 8000+ | 4.15 грн |
| 12000+ | 3.59 грн |
| 28000+ | 3.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: ES6.
Інші пропозиції SSM6N35AFE,LF за ціною від 3.66 грн до 28.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM6N35AFE,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: ES6 |
на замовлення 88354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6N35AFE,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V |
на замовлення 191031 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|