Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6N35AFU,LF
SSM6N35AFU,LF

SSM6N35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35AFU_datasheet_en_20161121.pdf?did=55424&prodName=SSM6N35AFU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.60 грн
6000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 285mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: US6.

Інші пропозиції SSM6N35AFU,LF за ціною від 7.00 грн до 31.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6N35AFU,LF SSM6N35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35AFU_datasheet_en_20161121.pdf?did=55424&prodName=SSM6N35AFU Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
17+18.64 грн
100+11.78 грн
500+8.25 грн
1000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35AFU,LF SSM6N35AFU,LF Toshiba BF11F545BFDAC3A2CEA2CF18515C8958E08BA373F762C8D8B85A222CE940AB06.pdf MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35AFU,LF SSM6N35AFU_datasheet_en_20161121.pdf?did=55424&prodName=SSM6N35AFU
SSM6N35AFU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.35 грн
17+18.64 грн
100+11.78 грн
500+8.25 грн
1000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35AFU,LF BF11F545BFDAC3A2CEA2CF18515C8958E08BA373F762C8D8B85A222CE940AB06.pdf
SSM6N35AFU,LF
Виробник: Toshiba
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.