Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6N35AFU,LF
SSM6N35AFU,LF

SSM6N35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35AFU_datasheet_en_20161121.pdf?did=55424&prodName=SSM6N35AFU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.69 грн
6000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 285mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: US6.

Інші пропозиції SSM6N35AFU,LF за ціною від 4.92 грн до 31.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6N35AFU,LF SSM6N35AFU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35AFU_datasheet_en_20161121.pdf?did=55424&prodName=SSM6N35AFU Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.76 грн
17+18.88 грн
100+11.93 грн
500+8.36 грн
1000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35AFU,LF SSM6N35AFU,LF Виробник : Toshiba SSM6N35AFU_datasheet_en_20161121-1140085.pdf MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
на замовлення 3218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.85 грн
16+22.11 грн
100+8.59 грн
1000+6.68 грн
3000+5.58 грн
9000+4.99 грн
24000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.