SSM6N36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.02 грн |
| 15+ | 20.16 грн |
| 100+ | 10.20 грн |
| 500+ | 7.80 грн |
| 1000+ | 5.79 грн |
| 2000+ | 4.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.
Інші пропозиції SSM6N36FE,LM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6N36FE,LM | Toshiba |
MOSFET 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD 1.5V |
на замовлення 3438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM6N36FE,LM |
|
Виробник: Toshiba
MOSFET 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD 1.5V
MOSFET 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD 1.5V
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)