Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6N36FE,LM
SSM6N36FE,LM

SSM6N36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Mosfets_Prod_Guide.pdf Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.04 грн
15+20.84 грн
100+10.54 грн
500+8.07 грн
1000+5.99 грн
2000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.

Інші пропозиції SSM6N36FE,LM за ціною від 3.60 грн до 33.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6N36FE,LM SSM6N36FE,LM Виробник : Toshiba SSM6N36FE_datasheet_en_20140301-1916147.pdf MOSFET 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD 1.5V
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.56 грн
15+23.18 грн
100+8.31 грн
1000+5.22 грн
4000+5.15 грн
8000+4.12 грн
48000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N36FE,LM SSM6N36FE,LM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.