Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6N36TU,LF
SSM6N36TU,LF

SSM6N36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage


Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.87 грн
6000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A UF6, Part Status: Active, Supplier Device Package: UF6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 500mW (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SSM6N36TU,LF за ціною від 6.74 грн до 25.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6N36TU,LF SSM6N36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.40 грн
16+19.05 грн
100+11.41 грн
500+9.91 грн
1000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N36TU,LF SSM6N36TU,LF Toshiba SSM6N36TU_datasheet_en_20140301-1661063.pdf MOSFET Sm-signal/HiSpeed2n1 UF6 (SOT-363F)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N36TU,LF
SSM6N36TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.40 грн
16+19.05 грн
100+11.41 грн
500+9.91 грн
1000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N36TU,LF SSM6N36TU_datasheet_en_20140301-1661063.pdf
SSM6N36TU,LF
Виробник: Toshiba
MOSFET Sm-signal/HiSpeed2n1 UF6 (SOT-363F)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.