
SSM6N37FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 26.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N37FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.
Інші пропозиції SSM6N37FE,LM за ціною від 3.38 грн до 28.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM6N37FE,LM | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSM6N37FE,LM | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active |
товару немає в наявності |