Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6N37FU,LF
SSM6N37FU,LF

SSM6N37FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=6227&prodName=SSM6N37FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.51 грн
6000+3.92 грн
9000+3.70 грн
15000+3.24 грн
21000+3.10 грн
30000+2.97 грн
75000+2.63 грн
150000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N37FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 300mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: US6.

Інші пропозиції SSM6N37FU,LF за ціною від 5.02 грн до 21.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6N37FU,LF SSM6N37FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6227&prodName=SSM6N37FU Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 229185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
23+13.09 грн
100+8.16 грн
500+5.67 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FU,LF SSM6N37FU,LF Toshiba SSM6N37FU_datasheet_en_20140301-1138317.pdf MOSFET Small-signal MOSFET ID=0.25A VDSS=20V
на замовлення 14408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FU,LF docget.jsp?did=6227&prodName=SSM6N37FU
SSM6N37FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 229185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.75 грн
23+13.09 грн
100+8.16 грн
500+5.67 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FU,LF SSM6N37FU_datasheet_en_20140301-1138317.pdf
SSM6N37FU,LF
Виробник: Toshiba
MOSFET Small-signal MOSFET ID=0.25A VDSS=20V
на замовлення 14408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.