SSM6N40TU,LXGF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N40TU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 25.30 грн |
| 500+ | 18.13 грн |
| 1500+ | 14.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N40TU,LXGF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N40TU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.122 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363F, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM6N40TU,LXGF(T за ціною від 11.30 грн до 59.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM6N40TU,LXGF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N40TU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.122 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363F Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SSM6N40TU,LXGF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 1.6A Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.6A Technology: MOSFET Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|