Технічний опис SSM6N43FU,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM6N43FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM6N43FU,LF(T за ціною від 6.27 грн до 25.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6N43FU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - SSM6N43FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-363, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM6N43FU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N43FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SSM6N43FU,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 6-Pin US T/R |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |