Продукція > TOSHIBA > SSM6N43FU,LF(T
SSM6N43FU,LF(T

SSM6N43FU,LF(T TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N43FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+20.74 грн
61+13.74 грн
118+7.08 грн
500+5.57 грн
1000+4.21 грн
5000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N43FU,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6N43FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM6N43FU,LF(T за ціною від 4.00 грн до 20.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6N43FU,LF(T SSM6N43FU,LF(T Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6N43FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+20.74 грн
61+13.74 грн
118+7.08 грн
500+5.57 грн
1000+4.21 грн
5000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.