SSM6N44FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 4.23 грн |
| 8000+ | 3.81 грн |
| 12000+ | 3.72 грн |
| 20000+ | 3.47 грн |
| 28000+ | 3.39 грн |
| 40000+ | 3.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N44FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: ES6.
Інші пропозиції SSM6N44FE,LM за ціною від 3.38 грн до 25.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6N44FE,LM | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1 |
на замовлення 21006 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM6N44FE,LM | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: ES6 |
на замовлення 97585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|