Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6N48FU,LF
SSM6N48FU,LF

SSM6N48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2497&prodName=SSM6N48FU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
20+16.09 грн
100+10.12 грн
500+7.06 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 300mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: US6.

Інші пропозиції SSM6N48FU,LF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6N48FU,LF SSM6N48FU,LF Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,LF SSM6N48FU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2497&prodName=SSM6N48FU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,LF SSM6N48FU,LF Виробник : Toshiba SSM6N48FU_datasheet_en_20140301-1133156.pdf MOSFETs SS FET 2 N-Ch 0.1A 30V 5.4 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.