Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6N58NU,LF
SSM6N58NU,LF

SSM6N58NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N58NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=13890&prodName=SSM6N58NU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.75 грн
6000+8.57 грн
9000+8.15 грн
15000+7.20 грн
21000+7.02 грн
30000+6.68 грн
75000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N58NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2), Part Status: Active.

Інші пропозиції SSM6N58NU,LF за ціною від 6.92 грн до 34.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6N58NU,LF SSM6N58NU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N58NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=13890&prodName=SSM6N58NU Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 142358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.22 грн
12+25.83 грн
100+17.54 грн
500+12.16 грн
1000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N58NU,LF SSM6N58NU,LF Виробник : Toshiba SSM6N58NU_datasheet_en_20210917-1915958.pdf MOSFETs N-Ch Sm Sig FET 4A 30V 2-in-1
на замовлення 56286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.25 грн
15+23.10 грн
100+13.54 грн
1000+9.56 грн
3000+8.31 грн
9000+7.28 грн
24000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.