SSM6N58NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.10 грн |
| 6000+ | 8.88 грн |
| 9000+ | 8.44 грн |
| 15000+ | 7.46 грн |
| 21000+ | 7.27 грн |
| 30000+ | 6.92 грн |
| 75000+ | 6.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N58NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2), Part Status: Active.
Інші пропозиції SSM6N58NU,LF за ціною від 6.63 грн до 35.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6N58NU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch Sm Sig FET 4A 30V 2-in-1 |
на замовлення 15928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM6N58NU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 142358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|